摘 要：

目前随着光刻技术进入45-14nm及以下技术节点，半导体行业越来越依赖于计算光刻技术来进一步提高光刻系统的分辨率和成像保真度。计算光刻技术是一类基于光刻成像模型，单独或联合优化光刻系统、掩模和工艺参数的数学方法。随着超大规模集成电路版图密度的不断提升，计算复杂度和运算效率已成为当前计算光刻技术所面临的一项重大挑战。该报告将介绍应用压缩感知技术有效提高计算光刻运算效率的方法。报告首先将介绍自适应压缩感知技术的框架，该框架能够有效提高传统压缩感知技术的压缩效率；其次，介绍两种基于压缩感知的快速计算光刻方法，即光刻系统光源优化方法和光学邻近效应校正方法。

报告人介绍：

马旭博士现为北京理工大学光电学院教授，光电成像与信息工程研究所所长，2017年受聘美国特拉华大学访问教授。马旭博士于2005年在清华大学获得学士学位，2009年于美国特拉华大学获得博士学位，曾于美国加州大学伯克利分校从事博士后研究工作。自2005年起，一直从事计算成像、计算光刻和信号处理方面的研究工作。出版了国际首部《计算光刻》英文专著，在计算成像和计算光刻领域的高水平国际学术期刊上发表论文30余篇，获得发明专利授权20余项。马旭教授入选教育部新世纪优秀人才，现为IEEE高级会员、OSA高级会员、中国微米纳米技术学会微纳执行器与微系统分会理事，其研究工作获得了国家自然科学基金资助，并主持和参与多项科技部、教育部项目，以及国际企业合作项目。